產(chǎn)品簡(jiǎn)介
用于腐蝕檢測(cè)的雙晶線性陣列(DLA)探頭,與常規(guī)超聲雙晶探頭相比,具有更多優(yōu)勢(shì)特性。這種相控陣解決方案,通過諸如更大的聲束覆蓋范圍、更快的掃查速度,及具有更高數(shù)據(jù)點(diǎn)密度的C掃描成像等特性,提高了檢測(cè)效率。與標(biāo)準(zhǔn)的相控陣脈沖回波相比,這款新探頭所使用的一發(fā)一收技術(shù)在腐蝕測(cè)量應(yīng)用中可提供更好的近表面分辨率及更強(qiáng)的點(diǎn)蝕探測(cè)能力,從而可提高危害性壁厚減薄的探出率。
得益于一些新添特性,例如:內(nèi)置灌溉,以及可使探頭更好地貼附于管材曲面的可更換式弧面延遲塊,雙晶線性陣列(DLA)腐蝕探頭現(xiàn)在可用于完成自動(dòng)檢測(cè)。
探頭的優(yōu)勢(shì)和特性
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可探測(cè)表面以下1毫米的缺陷。
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性價(jià)比較高的可更換式延遲塊。
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內(nèi)置灌溉。
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高溫選項(xiàng),可掃查熱表面。
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聲束覆蓋寬度高達(dá)30毫米。
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用途廣泛且調(diào)整迅速的系統(tǒng),可適用于直徑從4英寸到平面材料的檢測(cè)。
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堅(jiān)固耐用的硬質(zhì)合金防磨板,可保護(hù)楔塊。
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碳鋼材料典型的檢測(cè)深度范圍為1毫米到80毫米。
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USB存儲(chǔ)盤中的OmniScan配置文件(MX、MX2和SX)。
OmniScan軟件的特性
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側(cè)視圖、端視圖和俯視圖成像(B掃描、D掃描和C掃描)。
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完整的高分辨率A掃描存儲(chǔ)。
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兩個(gè)可配置的探測(cè)閘門。
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在OmniScan探傷儀或使用OmniPC軟件的計(jì)算機(jī)中進(jìn)行離線分析。
新特性,新潛能
將雙晶線性陣列(DLA)腐蝕探頭和OmniScan SX探傷儀組合在一起使用是為用戶提供的一種價(jià)格合理的檢測(cè)解決方案。這種解決方案的設(shè)置和操作簡(jiǎn)便易行:加載所提供的設(shè)置文件,對(duì)儀器進(jìn)行校準(zhǔn),然后進(jìn)行檢測(cè)并記錄數(shù)據(jù)。無(wú)需使用脈沖發(fā)生/接收(PR)儀器。
無(wú)論是在使用編碼器對(duì)某個(gè)區(qū)域進(jìn)行手動(dòng)掃查時(shí),還是在使用MapROVER電動(dòng)掃查器進(jìn)行高速全體積成像操作時(shí),雙晶線性陣列(DLA)腐蝕探頭都可以在光滑的表面上快速方便地完成C掃描成像操作。添加了可更換式弧面延遲塊和灌溉特性的創(chuàng)新型探頭穩(wěn)定系統(tǒng),可在直徑小如4英寸的管材表面上提供優(yōu)質(zhì)的聲傳播效果。用戶還可以訂購(gòu)高溫雙晶線性陣列(DLA)腐蝕探頭,這款探頭可以在溫度高達(dá)150°C的表面上進(jìn)行檢測(cè)。

在自動(dòng)檢測(cè)中與MapROVER掃查器一起使用的DLA腐蝕探頭。
雙晶陣列一發(fā)一收技術(shù)
與雙晶UT探頭一樣,雙晶線性陣列探頭包含一組發(fā)射晶片和一組接收晶片,這兩組晶片被分別安裝在切有固定屋頂角的延遲塊的兩部分上。這種配置可以生成在被測(cè)工件表面以下聚焦的聲束,從而可極大地降低表面反射的波幅。這種配置還可以提高近表面分辨率,得到對(duì)諸如點(diǎn)蝕、蠕變損傷、和HIC(氫致裂紋)等危害性缺陷的更高的探出率。
一發(fā)一收
脈沖回波

與相控陣脈沖回波相比,一發(fā)一收技術(shù)僅生成極小的界面回波,可提供更好的近表面分辨率。

碳鋼管道上腐蝕缺陷的B掃描圖像